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水平氧化扩散炉
发布日期:2021-08-25
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详细介绍

用于IC集成电路、MEMS、功率器件、电力电子器件、光电子器件、太阳能电池等领域。

产品性能:

4~8寸晶圆工艺,每台1~4/5

恒温区:800/1000/1250mm

温度:2001300℃/1350℃

全自动机械手装卸,悬臂/软着陆

晶圆自动倒片,完整的工厂MES系统对接,符合SECSⅡ/HSMS/GEM等标准

配套工艺:

扩散:气态/液态/固态源磷硼扩散

氧化:干氧/湿氧(DCE, HCL

氮、氢退火,烧结、合金等