垂直氧化/LPCVD用于IC集成电路、MEMS、电力电子器件、光电子器件等领域，6"/8"/12"晶圆的氧化、合金、退火、薄膜沉积及参杂等工艺。

产品性能：

*垂直结构，5～50片/批

*稳定优良的成膜均匀性，重复性好

*微环境低氧控制先进技术

*硅片颗粒度控制稳定，国际标准

*多工艺选择，模块化，操作便利

*全自动流程，盒对盒，AGV对接

*高集成度，符合SECSⅡ/HSMS/GEM等标准

配套工艺：

*氧化：干氧/湿氧（DCE, HCL），氮、氢退火，合金、固化，快速热退火

*多晶硅P-Si，氮化硅Si3N4，氧化硅SiO2，磷硅玻璃PSG，硼磷硅玻璃BPSG

*TEOS，LTO，HTO，SIPOS...