用于2”4”6”SiC或Si晶圆片的高温氧化等的特殊工艺。

设备特点：

化结构设计 占地面积小

灵活多样的工艺调整

温区稳定，极高的可靠性

高洁净度，极低维护使用成本

产品性能：

炉型结构：水平/垂直

工艺温度可达1500℃（炉体可达更高的温度）

小批量R&D为5～25片/炉，生产型为50～100片/炉

常压/压力控制，极限＜10-3mbar，工艺压力：800～1000mbar