用于在蓝宝石、碳化硅等衬底上外延生长GaN薄膜、Ga2O3薄膜（导模法）、厚膜及晶体生长，及AlN等外延生长。
产品性能：
*工作温度：200～1200℃/2200℃
*结构方式：水平/垂直，片数：1/3/6/多片（科研/生产型）
*多温区，动态高精度生长条件控制
*低压、常压、微正压工艺方式，衬底片升降、旋转（厚膜/晶体生长）
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