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高压晶体生长
发布日期:2021-08-25
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详细介绍

温度:5002500℃,高温电阻/感应加热器,优化热场设计

多温区石墨坩埚,升降,提拉,等径控制等

腔体压力:1-10MPa,高压容器设计、制造及检测

工艺类型:提拉、PVT